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離子束技術為磁過濾陰極真空弧沉積技術與MEVVA源離子注入技術復合技術。磁過濾陰極真空弧沉積技術是一種新型離子束薄膜制備方法，它通過磁過濾技術，過濾掉弧源產(chǎn)生的大顆粒和中性原子，得到無大顆粒的純等離子束。MEVVA源離子注入技術是利用陰極和陽極間的真空弧放電產(chǎn)生大量的金屬等離子體，在電場的作用下被引出而形成的強流金屬離子束。該復合技術不僅有效地克服了普通弧源沉積方法中由于大顆粒的存在而產(chǎn)生的問題，而且保持了極高的沉積速率。
離子束技術解決了選定涂層與選定基材相容性或結合力較低的問題，從而實現(xiàn)各類結構復雜部件的高質量表面處理。在強化涂層潔度、硬度、抗磨損、抗氧化、抗腐蝕等理化性能，進而提高關鍵部件在正?；驑O端條件下的服役可靠性和使用壽命等方面發(fā)揮了重要作用，可廣泛應用于半導體元件、電子元器件、機械加工、航天航空、新能源、醫(yī)用精密零部件等領域，市場需求旺盛。如：利用離子束無膠高性能低介電低損耗聚合物覆銅，微型刀具離子束沉積多元陶瓷涂層以及DLC涂層表面處理，延長刀具使用壽命，通信基站關鍵零部件的離子束金屬化處理等。
為滿足市場需求，項目開展了專項研發(fā)，創(chuàng)新開發(fā)了高脈沖偏壓磁過濾陰極真空弧與MEVVA源復合寬域離子束技術。通過開發(fā)高脈沖偏壓系統(tǒng)實現(xiàn)離子能量寬域化；利用MEVVA源實現(xiàn)目標薄膜與工件表面處理層形成錨釘效應，大幅提高涂層與基材的結合牢固度；研制了可低溫成膜的離子束薄膜表面沉積專用設備及磁過濾掃描磁場關鍵部件，通過磁場耦合結構設計，提高了復雜結構部件的表面處理質量；研發(fā)了無膠高性能低介電低損耗聚合物覆銅、微型刀具表面沉積多元陶瓷涂層以及DLC涂層、通信基站關鍵零部件離子束金屬化等表面處理工藝，滿足了不同行業(yè)用戶替代進口應用需求。
項目具有自主知識產(chǎn)權，已獲多件國家授權發(fā)明專利。項目關鍵技術及工藝已推廣應用，產(chǎn)品經(jīng)用戶使用反映良好，應用前景廣闊。

1.羅 軍  2.陳 琳  3.陳小曼  4.劉陽波  5.龐 盼  6.王桂岳