2024年6月30日“高精度、寬溫區(qū)金屬基壓敏芯片和壓力傳感器”科技成果通過專家組認定，技術水平國際領先。

會議邀請了中國載人航天辦公室、中國科學院過程工程研究所、清華大學集成電路學院、中國航天科工集團科技質量部、中國半導體行業(yè)協(xié)會、北京理工大學、國防科工局等單位首席專家組成評審委員會。

同時，保利航空、航天彩虹等應用方代表，國新基金、國新證券、中兵基金等投資方代表，湖南地方政府代表列席會議。

評審委員會認為，該項目發(fā)明了一種在金屬基底上制備二氧化硅薄膜的PECVD沉積工藝和方法和基于氮化鉭半導體電阻膜的壓敏芯片制備技術和工藝，在壓力測量量程、電壓耐受能力、耐溫范圍等性能指標上達到了國際領先水平。【高科新創(chuàng)新聞中心宣】