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本項目屬于黃金二次資源回收提純高純金再制備半導體濺射靶材, 半導體芯片的制作過程在背面金屬化和金凸塊封裝，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要大量用到黃金金屬濺射靶材。 半導體芯片行業(yè)對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。濺射靶材的純度是影響鍍膜效果的首要因素，要提高濺射薄膜的性能，就應盡可能降低靶材原料中雜質含量，提高純度。
在半導體生產(chǎn)工藝使用到黃金材料, 所以都會產(chǎn)出含金制程廢料, 包括吸附電鍍水洗液中黃金的樹酯, 過濾電鍍液濾芯, 報廢含金電鍍液和碘化鉀蝕刻金廢液, 以及報廢芯片和報廢封裝組件。 這些物料黃金含量都在0.1%以上都屬于二次資源具有回收價值。所以將含金二次資源回收提純高純金再制備半導體濺射靶材產(chǎn)品, 再回到客戶端再使用, 將資源循環(huán)再利用就非常有價值。
本項目就從半導體產(chǎn)業(yè)中含金二次資源進行回收提純，現(xiàn)有高純金提取工藝存在電解法對原料要求高且環(huán)境污染嚴重，溶劑萃取法易燃易爆，化學法存在毒性物料的問題，需要一種更環(huán)保的高純金提取方法。研發(fā)技術采取采用一種工藝步驟包括溶解、還原、再溶解和二次還原步驟，通過在室溫下將含金物料與鹽酸和硝酸反應，加入亞硫酸鈉進行還原，再利用二氧化硫進行二次還原，控制反應條件以獲得高純金。王水溶解產(chǎn)出氮氧化物, 采取氮氧化物吸收塔再制稀硝酸回用以及二氧化硫氣體還原控制在密閉反應釜內, 有效還原降低氣體損耗, 減少揮發(fā)物和氣體的不利影響。此工藝技術產(chǎn)出廢水量也不多, 也采取真空蒸發(fā)方式, 將蒸餾水回用到制程, 解決了現(xiàn)有技術中高純金提取工藝對原料要求高和氰化物或汞的環(huán)境污染的問題，實現(xiàn)了高純度金純度達到99.999%以上的提取和有利生態(tài)環(huán)境的技術。
針對半導體客戶使用需求, 除了高純金的金屬雜質外對碳含量也有要求, 因為碳在高溫下與黃金互溶，導致分離有困難?，F(xiàn)有技術中用于去除含金溶液中碳雜質的過濾裝置效率低，容易導致管道堵塞，且需要處理大量廢水。研發(fā)設計了一種包括扣式過濾濾斗、降液管道、閥門、過濾組件和濾液罐的過濾裝置，利用第成果簡介（不少于500字，不超過2000字）
要求：此內容將用于網(wǎng)站公開發(fā)表，要求內容盡量客觀、簡練、突出產(chǎn)品特點和行業(yè)優(yōu)勢
本項目屬于黃金二次資源回收提純高純金再制備半導體濺射靶材, 半導體芯片的制作過程在背面金屬化和金凸塊封裝，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要大量用到黃金金屬濺射靶材。 半導體芯片行業(yè)對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。濺射靶材的純度是影響鍍膜效果的首要因素，要提高濺射薄膜的性能，就應盡可能降低靶材原料中雜質含量，提高純度。
在半導體生產(chǎn)工藝使用到黃金材料, 所以都會產(chǎn)出含金制程廢料, 包括吸附電鍍水洗液中黃金的樹酯, 過濾電鍍液濾芯, 報廢含金電鍍液和碘化鉀蝕刻金廢液, 以及報廢芯片和報廢封裝組件。 這些物料黃金含量都在0.1%以上都屬于二次資源具有回收價值。所以將含金二次資源回收提純高純金再制備半導體濺射靶材產(chǎn)品, 再回到客戶端再使用, 將資源循環(huán)再利用就非常有價值。

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